ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > BCR 116F E6327
Datasheet下载- 型号： BCR 116F E6327
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCR 116F E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCR 116F E6327价格参考。InfineonBCR 116F E6327封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3。您可以下载BCR 116F E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCR 116F E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BCR116F E6327是一款预偏置的单晶体管 - 双极（BJT），适用于多种应用场景，尤其在需要高可靠性和稳定性的电路中表现优异。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） BCR116F E6327常用于开关电源中的驱动和控制电路。由于其预偏置特性，它可以在高频条件下提供稳定的开关性能，确保电源转换效率和稳定性。该晶体管能够快速响应电压和电流的变化，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等设备。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，BCR116F E6327可以作为功率放大器或开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低饱和电压和高增益特性使其能够在低功耗的情况下实现高效的电流控制，特别适合于步进电机、直流电机等小功率电机的应用。 3. 音频放大器 该晶体管也广泛应用于音频放大器中，尤其是在前置放大器和功率放大器的级联电路中。由于其线性度好、噪声低，BCR116F E6327能够提供高质量的音频信号放大，确保音质清晰、失真小。它还可以与其他晶体管配合使用，构建多级放大电路。 4. 传感器信号调理 在传感器信号调理电路中，BCR116F E6327可以用作信号放大器或缓冲器。它的高输入阻抗和低输出阻抗特性使得它能够有效地放大微弱的传感器信号，同时保持信号的完整性。这在温度传感器、压力传感器等模拟信号处理中尤为重要。 5. 保护电路 该晶体管还适用于各种保护电路，如过流保护、短路保护等。通过合理设计电路，BCR116F E6327可以在检测到异常电流时迅速切断电路，防止损坏其他元件。其预偏置特性使得它能够在设定的工作点上稳定工作，提高保护电路的可靠性。 6. 通信设备 在通信设备中，BCR116F E6327可以用于信号调制和解调电路，尤其是在低频段的无线通信系统中。它的高频特性和低噪声特性使其能够处理复杂的信号处理任务，确保数据传输的准确性和稳定性。 总的来说，BCR116F E6327凭借其预偏置特性、高增益和低噪声等优点，适用于多种电子设备和电路中，特别是在需要高效、稳定和可靠的电流控制和信号放大的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/bcr116series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f60ae880285 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BCR 116F E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | PG-TSFP-3 |
| 其它名称 | BCR116FE6327XT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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